據(jù)內(nèi)部消息透露，美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施，旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)，這兩項(xiàng)技術(shù)均為高端芯片制造的關(guān)鍵要素，尤其影響人工智能加速器的效能。
GAA晶體管設(shè)計(jì)因能顯著增加晶體管集成度并帶來功耗與性能上的優(yōu)化而備受矚目，當(dāng)前僅三星電子在其最先進(jìn)的3納米制程中實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化應(yīng)用。英特爾和臺(tái)積電分別規(guī)劃于Intel 20A節(jié)點(diǎn)和2納米節(jié)點(diǎn)引入GAA技術(shù)。此番限制若實(shí)施，無疑將為中國(guó)獲取最前沿的半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)置更多障礙。
盡管美、日、歐已有的出口控制策略已對(duì)中國(guó)獲取16/14納米以下的半導(dǎo)體制造設(shè)備構(gòu)成限制，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍舊展現(xiàn)出韌性，通過各種途徑提升既有工藝水平，包括實(shí)現(xiàn)7納米芯片的規(guī)模化生產(chǎn)，并探索在無須極紫外光刻(EUV)設(shè)備的情況下推進(jìn)至5納米制程的可能性。
業(yè)內(nèi)人士指出，中國(guó)半導(dǎo)體制造商或可嘗試將GAA技術(shù)融入現(xiàn)有的7納米工藝中，盡管這無法完全比肩3納米及以下GAA技術(shù)的優(yōu)越性，但仍有望在能效與性能上取得一定進(jìn)步。借助現(xiàn)有的芯片制造設(shè)施，中國(guó)可能利用單步圖案化技術(shù)克服難關(guān)。
華為云計(jì)算部門負(fù)責(zé)人張平安近期發(fā)聲，預(yù)判中國(guó)短期內(nèi)難以獲取3.5納米及以下級(jí)別的芯片制造裝備，強(qiáng)調(diào)應(yīng)側(cè)重于挖掘和優(yōu)化當(dāng)前7納米工藝的潛力。
截至目前，關(guān)于加強(qiáng)對(duì)GAA技術(shù)出口限制的具體條款尚未見諸官方公告，相關(guān)傳言均源自匿名信源，其真實(shí)度有待驗(yàn)證。相比之下，針對(duì)HBM技術(shù)出口的新增約束似乎更為緊迫，鑒于HBM技術(shù)對(duì)推動(dòng)人工智能芯片創(chuàng)新及生成式AI模型發(fā)展的重要性，而人工智能恰為美國(guó)嚴(yán)格管控并針對(duì)中國(guó)實(shí)施限制的核心技術(shù)領(lǐng)域。
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